晶體矽太陽能電池的製造工藝流程

晶體矽太陽能電池的製造工藝流程說明如下：

（1）切片：採用多線切割，將矽棒切割成正方形的矽片。

（2）清洗：用常規的矽片清洗方法清洗，然後用酸（或堿）溶液將矽片表面切割損傷層除去30－50um。

（3）製備絨面：用堿溶液對矽片進行各向異性腐蝕在矽片表面製備絨面。

（4）磷擴散：採用塗布源（或液態源，或固態氮化磷片狀源）進行擴散，製成PN＋結，結深一般為0.3－0.5um。

（5）周邊刻蝕：擴散時在矽片周邊表面形成的擴散層，會使電池上下電極短路，用掩蔽濕法腐蝕或等離子干法腐蝕去除周邊擴散層。

（6）去除背面PN＋結。常用濕法腐蝕或磨片法除去背面PN＋結。

（7）製作上下電極：用真空蒸鍍、化學鍍鎳或鋁漿印刷燒結等工藝。先製作下電極，然後製作上電極。鋁漿印刷是大量採用的工藝方法。

（8）製作減反射膜：為了減少入反射損失，要在矽片表面上復蓋一層減反射膜。製作減反射膜的材料有MgF2，SiO2，Al2O3，SiO，Si3N4，TiO2，Ta2O5等。工藝方法可用真空鍍膜法、離子鍍膜法，濺射法、印刷法、PECVD法或噴塗法等。

（9）燒結：將電池晶元燒結於鎳或銅的底板上。

（10）測試分檔：按規定參數規範，測試分類。

由此可見，太陽能電池晶元的製造採用的工藝方法與半導體器件基本相同，生產的工藝設備也基本相同，但工藝加工精度遠低於積體電路晶元的製造要求，這為太陽能電池的規模生產提供了有利條件。

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