用低強度電為大腦的特定區域「搔癢」可改善記憶力

記憶障礙是一個很普遍的腦部疾病，經過研究表明，用低強度電刺激大腦特定區域時可改善詞語的短期記憶能力。

研究人員發現，通過刺激大腦外側顳葉皮層 （頭部兩側的靠近太陽穴和耳朵的區域），將會加強文字記憶。 而當大腦受到低幅度的電刺激時，患者能夠回憶起單詞表上更多的單詞。據病人說，他能夠在腦海中更容易的想象出這些單詞以便記憶。

梅奧醫學中心（Mayo clinic）的研究人員在Brain雜誌上報告了他們的發現，他們把這種刺激形容為給大腦搔癢。

研究人員表示：「這項研究最令人興奮的發現是，我們可以通過直接刺激這個還未被詳細研究的大腦區域來改善對語言信息的記憶。」

在許多情況下，藥物治療和行為療法對記憶障礙的療效都很有限，儘管大腦的電刺激正在成為廣大神經疾病和精神疾病的潛在治療方法，但我們卻並不太清楚它會對記憶產生怎樣的影響。

「這個項目的下一步是確定大腦這個區域的確切位置，以及適當的刺激時間和其它參數來更好的應用電流刺激。」

研究人員將他們的研究集中在大腦的四個已知區域，這些區域支持人們記憶可以被有意識回憶的事實和事件。

記憶測試在正被評估癲癇手術效果的患者中進行，這些患者同意使用為手術評估而植入他們大腦中的電極來研究他們的記憶。癲癇患者常會有記憶問題，因為癲癇往往會影響負責記憶功能的大腦迴路。

在這項研究中，患者被指導從電腦屏幕上一次一個單詞地閱讀一個單詞表，而電刺激會在某些時間被施用，然後患者被要求以任何順序自由地回憶這些單詞。

在22名患者中，研究人員發現4名接受大腦外側顳葉皮層刺激的患者的記憶能力增強，而接受其它大腦區域刺激的患者的記憶能力沒有變化。

梅奧醫學中心專門研究大腦刺激的神經外科醫師說：「這些發現可能會導致治療記憶和認知功能障礙的新型刺激裝置的產生。」