納米薄膜的實驗過程

納米薄膜的側備派於經典的方法又加以改進，是典型的門】，七甲down(由上到下)的方法，包括溶膠·凝膠法、真空燕發法、進控濺射法、分子束外延被膜法、電沉積法、化學氣相沉積法((.'VD) ,等離子體增強化學氣相沉積法(PECVD),徽光誘導化學氣相沉積(LCVD)、金屬有機物化學氣相沉積法《MOCVD)、離子束濺射法等。

採用溶膠凝膠法製備降吸拜有多組分均勻混合、成分易控制，成膜均勻、成本低、易於工業化生產的優點，但不是所有的薄腆材料都能很容易的製成溶膠.又很容易的找到襯板材料。細心完成溶膠側備是本法的重要因眾。

真空燕發坡膜包括以下三個革本過程:①加熱燕發過程。包括山凝縈相轉變為氣相.睡種燕發物質在不同沮度時有不同的飽和燕氣壓。O汽化的原子或分子在蒸發陣與基片間的飛行。飛行過程中原子或分子將與真空室內殘餘氣體分子硅撞.其平均自由程取決於真空室內的真空度。③在摧片表面上的澱積過程。包括燕氣的凝聚、成核、核生長.形成連續薄膜。由於幕板沮度遠低於燕發碑謐度，因此沉積物分子在幕板表面將找接發生從氣相到固相的相轉變過程。

與其他納米薄腆生長技術相比，MHE有以下特點:①超兩真空條件下生長.雜質污染少.外延膜純度高;0生長速率低.但可情確控制單原子層厚度.可獲得原子級平格的表面和界面;③生長踢度低，可獲得十分陡變的接雜分佈和異質界面;④叮任愈改變外延層的組分、抽雜和連續生長複雜的多層異質結構;⑤可利用高能電子衍射儀等分析手段進行原位觀寮研究外延表面的結構和生長機理:⑥可將MBE設備與其他半導體仁藝設備進行真空連接.使材料的生長、鍍膜、注人、刻蝕等工藝連續進行。